雙向在控硅在電機(jī)負(fù)載下使用需要注意對可控硅產(chǎn)品的選形。在感性負(fù)載與容性負(fù)載的情況下，需要比較高的dv/dt與di/dt。
1、選用4Q可控硅需要加RC電路吸收，阻止dv/dt的變化速度，加L（扼流圈）阻止di/dt的變化速度。4Q產(chǎn)品需要效多的保護(hù)措施，應(yīng)用起來相對3Q 產(chǎn)品要復(fù)雜。
2、期發(fā)展的 3Q “Hi-Com”雙向可控硅技術(shù)一般不需要保護(hù)元件。應(yīng)用這技術(shù)的電器更可靠，更價廉，并且小巧。
因此感性負(fù)載與容性負(fù)載，推薦使用3Q 雙向可控硅。 |
